随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、
、高可靠性功率器件需求的不断攀升，，
，功率半导体技术正面临新一轮革新。。为应对市场对更低损耗
、、、、更高功率密度解决方案的迫切需求，，，
，飞游云创新科技旗下子公司虹安微电子重磅推出首代150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品 — HAG040TN15。。该产品凭借3.2mΩ的超低导通电阻与230A的强大电流能力
，，成为高端BMS
、、、
、电驱及DC-DC转换应用领域的性能标杆
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产品核心参数

产品核心特点

1.极致低阻设计

该150V平台产品采用先进的屏蔽栅沟槽技术，，，
，在150V电压等级下实现了75mΩ*mm2的业界领先比导通电阻能力，，，，3.2mΩ产品对应8寸晶圆颗粒数可达950粒。。。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，，直接提升系统整体效率，，，并降低温升。。

2.采用先进封装技术

该产品采用TOLL先进封装，，
，
，通过优化封装工艺，，结-壳热阻Rthjc典型值低至0.21℃/W，，，
，先进的封装技术为产品提供了优异的散热通道，，进而提升器件的功率输出能力
。。。

3.超强电流承载能力

在25°C壳温下，，，，连续漏极电流高达230A，，，，脉冲电流能力更达到978A。。。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击
，
，系统可靠性与鲁棒性倍增。。。

4.精准聚焦应用

超低导通电阻使得静态性能上优势明显，，而在VCC=120V的母线电压短路耐量测试中
，，短路时间可达9μs。
。这对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域提供性能支持。。

产品典型应用

• BMS

• 电机驱动

• DC-DC转换器

• 同步整流SR

• 不间断电源UPS

• 光伏板MPPT转换